万国半导体国际有限合伙公司李文军获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉万国半导体国际有限合伙公司申请的专利集成的平面-沟道栅极功率MOSFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210390724.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权集成的平面-沟道栅极功率MOSFET是由李文军;管灵鹏;王健;陈凌兵设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成的平面-沟道栅极功率MOSFET在说明书摘要公布了：晶体管器件及其制造方法，包括重掺杂第一导电类型的衬底和在衬底顶部轻掺杂第一导电类型的外延层。在外延层中形成掺杂有第二导电类型的本体区域，其中第二导电类型与第一导电类型相对，并且在外延层的本体区域中形成掺杂有第一导电类型的源区域。具有平面栅极部分的集成平面沟道栅极形成在外延层的表面上，该外延层与在外延层中形成的栅极沟道部分相连。
本发明授权集成的平面-沟道栅极功率MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种晶体管器件，其特征在于，包括： 一个重掺杂第一导电类型的衬底； 一个轻掺杂第一导电类型的外延层，形成在衬底上； 一个掺杂第二导电类型的本体区，形成在外延层中，其中第二导电类型与第一导电类型相反；一个掺杂第一导电类型的源极区，形成在外延层的本体区中； 一个集成平面-沟道栅极，其具有一平面栅极部分形成在外延层的表面上，与在外延层中的沟道中形成的沟道栅极部分相连，其中衬底中的沟道栅极部分底部的深度，小于本体区的最低掺杂深度； 还包括一个局域化的JFET注入区，重掺杂第一导电类型，形成在沟道栅极部分的底部和边缘周围。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人万国半导体国际有限合伙公司，其通讯地址为：加拿大安大略省多伦多市国王大街西100号#6000套房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励