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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249650B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110471168.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘中元设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区以及若干第二区，第一区位于相邻的第二区之间，第一区上具有若干相互分立的第一鳍部，第二区上具有若干相互分立的第二鳍部；在形成第一鳍部和第二鳍部之后，在衬底上形成隔离层，隔离层的顶部表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面；在形成隔离层之后，去除第二鳍部，在隔离层内形成若干隔离开口；在隔离开口内形成填充层。通过先形成第一鳍部和第二鳍部，由于相邻的鳍部之间的间距均匀，因此使得在形成隔离层的过程中，所使用的刻蚀工艺在第一区和第二区上的刻蚀环境一致，进而保证最终形成的隔离层的顶部表面水平，使得最终形成的半导体结构的性能提升。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区以及若干第二区，所述第一区位于相邻的所述第二区之间，所述第一区上具有若干相互分立的第一鳍部，所述第二区上具有若干相互分立的第二鳍部； 在形成所述第一鳍部和所述第二鳍部之后，在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部和所述第二鳍部的部分侧壁表面，且所述隔离层的顶部表面低于所述第一鳍部和所述第二鳍部的顶部表面； 在形成所述隔离层之后，去除所述第二鳍部，在所述隔离层内形成若干隔离开口； 在所述隔离开口内形成填充层；其中， 在形成所述隔离开口之后且在形成所述填充层之前，还包括：在所述隔离开口的侧壁和顶部表面、所述隔离层的顶部表面、以及暴露出的所述第一鳍部的侧壁和顶部表面形成停止层； 所述填充层的形成方法包括：在所述隔离开口内以及所述隔离层上形成填充材料层，所述填充材料层覆盖所述第一鳍部；回刻蚀所述填充材料层，直至暴露出所述停止层的顶部表面为止，形成所述填充层。

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