株式会社半导体能源研究所山口知也获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利发光元件、有机化合物、发光装置、电子设备及照明装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115275032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210736731.7，技术领域涉及：H10K50/11；该发明授权发光元件、有机化合物、发光装置、电子设备及照明装置是由山口知也;吉住英子;木户裕允;高桥辰义;濑尾哲史设计研发完成，并于2017-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件、有机化合物、发光装置、电子设备及照明装置在说明书摘要公布了：提供一种新颖的化合物以及一种发光效率及元件寿命良好的发光元件。该新颖的化合物具有苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架，该苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯环及吡嗪环分别独立地具有总碳原子数为6至100的取代基。发光元件包含该化合物。
本发明授权发光元件、有机化合物、发光装置、电子设备及照明装置在权利要求书中公布了：1.一种包括一对电极之间的EL层的发光元件， 其中，所述EL层包括包含苯并呋喃并吡嗪骨架的物质或包含苯并噻吩并吡嗪骨架的物质， 所述苯并呋喃并吡嗪骨架中的苯环或所述苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯环包含总碳原子数为6至100的第一取代基， 所述第一取代基包含通过取代或未取代的亚芳基与所述苯环键合的稠合芳杂环， 所述苯并呋喃并吡嗪骨架中的吡嗪环或所述苯并噻吩并吡嗪骨架中的吡嗪环包含总碳原子数为6至100的第二取代基， 并且，所述第二取代基包含通过取代或未取代的亚芳基与所述吡嗪环键合的富π电子型芳杂环，或通过取代或未取代的亚芳基与所述吡嗪环键合的三芳基胺结构。
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