中国科学院半导体研究所张韵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利异质结双极型晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211083876.8，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权异质结双极型晶体管及其制作方法是由张韵;王欣远;张连;高幸发设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结双极型晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括：衬底；沟道层，形成在衬底上，沟道层上形成有向下凹陷的台面；势垒层，形成在沟道层的未形成有台面的区域上，势垒层适用于在沟道层内极化产生二维电子气层；p型基区，形成在势垒层上的部分区域；n型发射区，形成在p型基区上的部分区域；漏极，形成在沟道层的台面上，漏极适用于与二维电子气层形成欧姆接触；其中，p型基区与n型发射区形成异质结结构，异质结结构适用于经过势垒层向沟道层输入电流，二维电子气层适用于将电流传输至漏极。本发明还包括一种上述的异质结双极型晶体管的制作方法。
本发明授权异质结双极型晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结双极型晶体管，其特征在于，包括： 衬底1； 沟道层2，形成在所述衬底1上，所述沟道层2上形成有向下凹陷的台面21； 势垒层3，形成在所述沟道层2的未形成有所述台面21的区域上，所述势垒层3适用于在所述沟道层2内极化产生二维电子气层； p型基区4，形成在所述势垒层3上的部分区域； n型发射区5，形成在所述p型基区4上的部分区域； 漏极7，形成在所述沟道层2的台面21上，所述漏极7适用于与所述二维电子气层形成欧姆接触； 其中，所述p型基区4与所述n型发射区5形成异质结结构，所述异质结结构适用于经过所述势垒层3向所述沟道层2输入电流，所述二维电子气层适用于将所述电流传输至所述漏极7。
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