西南大学黄军建获国家专利权
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龙图腾网获悉西南大学申请的专利一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法、系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115438779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211060846.5，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法、系统是由黄军建;陈玲;王一帆;李传东;黄廷文设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法、系统在说明书摘要公布了：本发明提出了一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法、系统。采用批量写入遗忘忆阻桥构建忆阻交叉架构，所述忆阻交叉架构的输入信号包括五线谱行信号和列信号；所述行信号用于确定选中行和非选中行，选中行和非选中行连接不同写信号，选中行上的忆阻桥上的电压高于设置阈值，非选中行上的忆阻桥的电压低于设置阈值；根据所述列信号的占空比对选中行中的忆阻桥写入长短时记忆正负权值和零权值，对非选中行进行电路保护。该方法的写入权值范围更广，功能更强大，更便于控制，电路安全性更高。
本发明授权一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法、系统在权利要求书中公布了：1.一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法，其特征在于， 采用批量写入遗忘忆阻桥构建忆阻交叉架构，所述忆阻交叉架构的输入信号包括行信号和列信号； 所述行信号用于确定选中行和非选中行，选中行和非选中行连接不同写信号，选中行上的忆阻桥上的电压高于设置阈值，非选中行上的忆阻桥的电压低于设置阈值； 根据所述列信号的占空比对选中行中的忆阻桥写入长短时记忆正负权值和零权值，对非选中行进行电路保护。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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