TCL科技集团股份有限公司周礼宽获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利量子点发光二极管器件、其制造方法以及量子点膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110613846.2，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权量子点发光二极管器件、其制造方法以及量子点膜是由周礼宽;杨一行设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点发光二极管器件、其制造方法以及量子点膜在说明书摘要公布了：本申请提供一种量子点发光二极管器件、其制造方法以及量子点膜。量子点发光二极管器件包括第一电极、第二电极以及量子点发光层。量子点发光层设置于所述第一电极与所述第二电极之间。其中，所述量子点发光层包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点的光致发光峰值波长与所述第二量子点的光致发光峰值波长之差的绝对值小于或者等于10nm。本申请的发光器件能够利用两种光电性能相近的量子点制造，从而降低了工艺难度，提高了生产效率。
本发明授权量子点发光二极管器件、其制造方法以及量子点膜在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管器件，其特征在于，包括： 第一电极； 第二电极；以及 量子点发光层，设置于在所述第一电极与所述第二电极之间； 其中，所述量子点发光层由第一量子点和第二量子点构成，所述第一量子点的光致发光峰值波长与所述第二量子点的光致发光峰值波长之差的绝对值小于或者等于10nm；所述第二量子点的光致发光峰值波长大于所述第一量子点的光致发光峰值波长，所述第二量子点的质量分数大于50wt%且小于100wt%，所述第一量子点的质量分数大于0wt%且小于50wt%； 或者，所述量子点发光层包括至少三种量子点，所述至少三种量子点中的光致发光峰值波长的最大值与最小值之差小于或者等于10nm，所述至少三种量子点的光致发光峰值波长中位数对应的量子点的质量分数大于每种量子点的质量分数的平均数。
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