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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种外延片、LED芯片及显示屏获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443521B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100169.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种外延片、LED芯片及显示屏是由颜玺轩;向朝;魏海标;丁见华设计研发完成，并于2020-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延片、LED芯片及显示屏在说明书摘要公布了：一种外延片、LED芯片及显示屏，该外延片包括：改善层210、第一缓冲层220、第一导电层230、发光层240和第二导电层250，改善层210包括实体部分211和至少一个空隙部分212，该空隙部分212朝向第一缓冲层220，发光层240全部位于改善层210的实体部分211的正上方的区域范围内。外延片包括改善层210的空隙部分212与衬底260相接触的区域之间生成的第一晶格缺陷270和第二晶格缺陷280。第一晶格缺陷270沿外延片生长方向延伸，第二晶格缺陷280位于第一缓冲层220中，或者位于第一缓冲层220和第一导电层230中。第一晶格缺陷270和第二晶格缺陷280不会到达发光层240，不会影响电子和电洞在发光层240的发光复合。因此，所述外延片的发光层240中的晶格缺陷较少，相应的，所述外延片的发光效率较高。

本发明授权一种外延片、LED芯片及显示屏在权利要求书中公布了：1.一种外延片，其特征在于，包括： 改善层、第一缓冲层、第一导电层、发光层和第二导电层； 所述改善层设置在衬底上方，所述改善层包括实体部分和至少一个空隙部分； 所述第一缓冲层、第一导电层、发光层和第二导电层依次设置在所述改善层的上方，所述至少一个空隙部分朝向所述第一缓冲层； 所述发光层全部位于所述改善层的实体部分的正上方的区域范围内； 所述改善层的空隙部分与所述衬底相接触的区域之间的晶格缺陷包括第一晶格缺陷和第二晶格缺陷，所述第一晶格缺陷为沿外延片生长方向延伸的晶格缺陷，所述第二晶格缺陷为向所述空隙部分两侧延伸的晶格缺陷； 所述第二晶格缺陷位于所述第一缓冲层中，或者所述第二晶格缺陷位于所述第一缓冲层和所述第一导电层中； 其中，所述改善层的实体部分与所述衬底之间包括空隙层； 或者，所述改善层与所述第一缓冲层之间包括空隙层。

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