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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种系PN结的复合结构MOS抗辐照器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472699B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211197402.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种系PN结的复合结构MOS抗辐照器件及制备方法是由刘伟峰;曾琳;包军林;张栋;张士琦;宋建军设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种系PN结的复合结构MOS抗辐照器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种系PN结的复合结构MOS抗辐照器件及制备方法，包括衬底，衬底上通过掺杂P型杂质3*1018cm‑3形成有P阱区，P阱区上表面淀积一层SiO2层，衬底、P阱区以及SiO2层侧面为倒梯形沟槽，倒梯形沟槽为浅沟道隔离结构，SiO2层顶部为栅极，栅极外侧对称设置为牺牲保护层，栅极与牺牲保护层之间依次从下至上为本征硅、p型半导体、n型半导体以及引出金属AI，所述浅沟道隔离结构内侧为低能量浅结砷LDD和源漏区，源漏区上方紧贴本征硅，所述引出金属AI接地。在源漏极上栅极的侧壁增加对称结构PN结，紧贴源漏区上方依次为本征Si层，PN结，导出金属接地，整个器件在Si衬底上实现，与Si工艺兼容，利于集成与成本的控制。

本发明授权一种系PN结的复合结构MOS抗辐照器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种系PN结的复合结构MOS抗辐照器件，其特征在于，包括衬底10，衬底10上通过掺杂P型杂质3*1018cm-3形成有P阱区11，P阱区11上表面淀积一层SiO2层12，所述衬底10、P阱区11以及SiO2层12侧面为倒梯形沟槽，倒梯形沟槽为浅沟道隔离结构110，所述SiO2层12顶部为栅极14，栅极14外侧为牺牲保护层15，栅极14与牺牲保护层15之间依次从下至上为本征硅19、p型半导体20、n型半导体21以及引出金属AI22，源漏区18上方紧贴本征硅19，所述引出金属AI22接地； 以牺牲保护层15为掩膜，LDD轻掺杂漏注入低能量浅结砷LDD16，在未被光刻胶17保护的区域，以牺牲保护层15为掩膜，掺杂形成源漏区18； 其中，用CVD方法淀积厚度为20~30nm的Si3N4层作为牺牲保护层15，作为后续LDD轻掺杂漏注入的掩膜； 在未被光刻胶保护的区域进入砷离子注入，形成低能量浅结砷LDD16轻掺杂漏注入。

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