TCL科技集团股份有限公司马兴远获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利发光器件及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115472764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110652188.8,技术领域涉及:H10K71/00;该发明授权发光器件及其制作方法、显示面板是由马兴远;王劲设计研发完成,并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光器件及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了:本申请公开了一种发光器件及其制作方法、显示面板,发光器件的制作方法包括以下步骤:提供一器件板,所述器件板具有相对设置的第一面和第二面;在所述第一面形成量子点发光层;在所述量子点发光层上依次形成电子传输层和阴极,所述电子传输层和所述量子点发光层的费米能级差小于或等于0.5eV。本申请提供的发光器件及其制作方法、显示面板用于提高发光器件的发光效率。
本发明授权发光器件及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了:1.一种发光器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 提供一器件板,所述器件板具有相对设置的第一面和第二面; 在所述第一面形成量子点发光层; 在所述量子点发光层上依次形成电子传输层和阴极,所述电子传输层和所述量子点发光层的费米能级差小于或等于0.5eV; 其中,所述量子点发光层包括掺杂卤素的量子点材料,所述量子点材料含有镉元素、锌元素、硒元素和硫元素的量子点材料,其中,所述镉元素和所述锌元素的含量比大于1:1; 所述量子点发光层的制备方法包括步骤: 将金属卤化物与所述量子点材料混合,形成具有卤素修饰的量子点材料; 将所述卤素修饰的量子点材料设置在所述第一面,形成所述量子点发光层; 或者,所述量子点发光层的制备方法包括步骤: 在所述第一面设置量子点材料后进行成膜处理; 在所述量子点材料表面设置金属卤化物溶液,并进行加热处理,以形成所述量子点发光层; 所述金属卤化物的浓度小于或等于2mgmL,所述量子点材料的浓度介于20mgmL至40mgmL之间,所述金属卤化物与所述量子点材料的体积比为介于1:20至1:35之间;所述金属卤化物中的金属离子选自K+、Na+、Zn2+中的任意一种,所述金属卤化物中的卤素离子选自Cl-、Br-、I-中的任意一种。
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