南亚科技股份有限公司林原园获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利存储器单元、存储器阵列及存储器单元主动区域制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210215238.0，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权存储器单元、存储器阵列及存储器单元主动区域制备方法是由林原园设计研发完成，并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元、存储器阵列及存储器单元主动区域制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器单元、存储器阵列、及存储器单元的制备方法。该存储器单元包括一主动区域、一隔离结构、以及一接触增强层。该主动区域为一半导体基板的一表面部分。该主动区域的一顶表面具有一倾斜部分，其在该主动区域的一周围区域内朝向该主动区域的一边缘下降。该隔离结构形成于侧向围绕该主动区域的该半导体基板的一沟槽中。该接触增强层覆盖该主动区域的该边缘并且与该隔离结构侧向接触。该接触增强层覆盖该主动区域的该顶表面的该倾斜部分，且该接触增强层包括一半导体材料。
本发明授权存储器单元、存储器阵列及存储器单元主动区域制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元，包括： 一主动区域，作为一半导体基板的一表面部分，其中该主动区域的一顶表面具有一倾斜部分，其在该主动区域的一周围区域内朝向该主动区域的一边缘下降； 一隔离结构，形成于侧向围绕该主动区域的该半导体基板的一沟槽中；以及 一接触增强层，覆盖该主动区域的该边缘并且与该隔离结构侧向接触，其中该接触增强层覆盖该主动区域的该顶表面的该倾斜部分，且该接触增强层包括一半导体材料， 其中该接触增强层的一最顶端与被该主动区域的该顶表面的该倾斜部分围绕的该主动区域的该顶表面的一平坦部分实质上共平面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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