吉林华微电子股份有限公司高宏伟获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林华微电子股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211226057.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备是由高宏伟;蒋和平;王宇;杨寿国设计研发完成，并于2022-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供的半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备，通过在多层外延工艺中控制内部注入层中第一终端P型注入结构，形成浓度渐变的终端区P型掺杂柱，从而在高温扩散推结后可以形成浓度渐变的终端区P型扩散柱。如此，在提高了产品工艺容差的同时，增加了产品雪崩耐量，极大提高了产品一致性和性能。
本发明授权半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一外延片，所述外延片包括相对的第一面和第二面； 在所述外延片上通过注入和光刻工艺形成包括多个第一终端P型注入结构的内部注入层；再次执行外延工艺，使所述外延片生长并覆盖所述内部注入层；重复上述步骤形成多个所述内部注入层；每个所述内部注入层包括多个第一终端P型注入结构，各所述内部注入层中的所述第一终端P型注入结构位置对应，形成多个终端区P型掺杂柱，至少一个终端区P型掺杂柱中，靠近所述第一面的所述第一终端P型注入结构的掺杂注入量小于至少一个远离所述第一面的所述第一终端P型注入结构的掺杂注入量，相邻两个所述内部注入层中的所述第一终端P型注入结构通过所述外延片相互间隔； 通过高温扩散推结使各个所述终端区P型掺杂柱扩散形成终端区P型扩散柱，所述终端区P型扩散柱至少一个靠近所述第一面的部分的掺杂浓度小于至少另一个远离所述第一面的部分的掺杂浓度。
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