矽磐微电子(重庆)有限公司杨威源获国家专利权
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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利半导体封装方法及半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513074B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110697348.0，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体封装方法及半导体封装结构是由杨威源设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装方法及半导体封装结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括：提供芯片，所述芯片的正面设有焊垫；形成覆盖所述焊垫以及所述芯片的正面的钝化层，所述钝化层设有暴露所述焊垫的第一开口；在所述焊垫暴露于所述第一开口的区域形成阻挡层，所述阻挡层位于所述第一开口内，并与所述焊垫电连接；形成覆盖所述钝化层以及所述阻挡层的介电层，并在所述介电层上形成暴露所述阻挡层的第二开口；形成覆盖所述介电层的扇出布线，所述扇出布线伸入所述第二开口，并与所述阻挡层电连接。本公开能够降低封装工艺的难度。
本发明授权半导体封装方法及半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括： 提供芯片，所述芯片的正面设有焊垫； 形成覆盖所述焊垫以及所述芯片的正面的钝化层，所述钝化层设有暴露所述焊垫的第一开口； 在所述焊垫暴露于所述第一开口的区域形成阻挡层，所述阻挡层位于所述第一开口内，并与所述焊垫电连接；所述阻挡层包括第一阻挡层及位于所述第一阻挡层之上的第二阻挡层，所述第一阻挡层的还原性低于所述焊垫的还原性，所述第二阻挡层的还原性低于所述第一阻挡层的还原性；所述第一阻挡层的材料为金属镍，所述第二阻挡层的材料为铜； 形成覆盖所述钝化层以及所述阻挡层的介电层，并在所述介电层上形成暴露所述阻挡层的第二开口； 形成覆盖所述介电层的扇出布线，所述扇出布线伸入所述第二开口，并与所述阻挡层电连接，其中，所述扇出布线与所述第二阻挡层接触。
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