联华电子股份有限公司林大钧获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利避免翘曲的半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110630599.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权避免翘曲的半导体结构及其制作方法是由林大钧;杨晋嘉;侯泰成;蔡馥郁;蔡滨祥设计研发完成，并于2021-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本避免翘曲的半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种避免翘曲的半导体结构及其制作方法，其中该避免翘曲的半导体结构包含一晶片，晶片包含一正面和一背面，多个半导体元件设置在正面，一层氧化硅层设置在背面以及一紫外光可穿透氮化硅层覆盖并接触氧化硅层，其中紫外光可穿透氮化硅层的折射率介于1.55至2.10之间。
本发明授权避免翘曲的半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种避免翘曲的半导体结构，包含： 晶片，其中该晶片包含正面和背面； 多个半导体元件，设置在该正面，该多个半导体元件包含多个第一输出输入金属元件，设置在该正面，该多个第一输出输入金属元件提供第一伸张应力使该晶片朝向该正面弯曲； 一层氧化硅层，设置在该背面； 紫外光可穿透UV-transparent氮化硅层，覆盖并接触该氧化硅层，其中该紫外光可穿透氮化硅层的折射率介于1.55至2.10之间；以及 多个第二输出输入金属元件，设置在该背面，该多个第二输出输入金属元件提供第二伸张应力使该晶片朝向该背面弯曲，其中该第二伸张应力小于该第一伸张应力，其中该氧化硅层和该紫外光可穿透氮化硅层设置在该多个第二输出输入金属元件和该背面之间，该氧化硅层提供第三伸张应力使该晶片朝向该背面弯曲。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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