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龙图腾网获悉杭州广立微电子股份有限公司申请的专利识别晶体管、源漏极至体极的漏电路径的方法、存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211205016.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权识别晶体管、源漏极至体极的漏电路径的方法、存储设备是由杨璐丹;曾祥芮;尤炎;潘伟伟设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本识别晶体管、源漏极至体极的漏电路径的方法、存储设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种识别晶体管、源漏极至体极的漏电路径的方法、存储设备，其中，识别晶体管源漏极至体极的漏电路径的方法包括以下步骤：步骤一：获取版图，版图包括有源区图层、有源区连接层，有源区图层的图形为有源区，记为AA；有源区连接层的图形记为M0A，用于连接有源区；步骤二：沿着目标晶体管的栅极，对目标晶体管所在的AA进行切断，分割得到若干个AA子区域记为dif_not_seed；根据图层间的连接关系，识别出通过M0A与目标晶体管的体极存在连接的dif_not_seed，记为err_path1；步骤三：定义风险参数c1表示err_path1的数量；当c1＝0时，判定不存在漏电路径；当c1＞0时，判定存在漏电路径。能够有效识别晶体管源漏极至体极的漏电路径，便于对后续晶体管测试数据异常值的分析。

本发明授权识别晶体管、源漏极至体极的漏电路径的方法、存储设备在权利要求书中公布了：1.一种识别晶体管源漏极至体极的漏电路径的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：获取版图，所述版图包括有源区图层、有源区连接层，所述有源区图层的图形为有源区，记为AA；所述有源区连接层的图形记为M0A，用于连接有源区； 步骤二：沿着目标晶体管的栅极，对目标晶体管所在的AA进行切断，分割得到若干个AA子区域，所述AA子区域记为dif_not_seed；根据图层间的连接关系，识别出通过M0A与目标晶体管的体极存在连接的dif_not_seed，记为err_path1； 步骤三：定义风险参数c1表示所述err_path1的数量；当c1＝0时，判定目标晶体管不存在源极漏极至体极的漏电路径；当c1＞0时，判定目标晶体管存在源极漏极至体极的漏电路径； 根据版图中的电路连接关系，识别出目标晶体管的源极漏极至体极的电路路径，记为err_path1_hole；并将所述err_path1_hole经过的浮栅记为err_path1_dumgate，所述浮栅是指无连接线外引进行输入输出控制的栅极； 定义风险参数c2表示与所述err_path1相接的err_path1_hole数量，定义风险参数c3表示与所述err_path1相接的err_path1_dumgate数量；利用风险参数c1、c2和c3量化表征目标晶体管存在源极漏极至体极的电路路径的漏电风险：当c1＞0且c1＝c2，说明目标晶体管存在源极漏极至体极的漏电路径，且漏电路径经过c3根浮栅，c3的值越小说明目标晶体管的源极漏极至体极的漏电路径的风险越高；当c1＞0且c1＞c2，说明目标晶体管存在源极漏极至体极的漏电路径，且该漏电路径为源极漏极通过M0A直接连到体极上，不经过浮栅，此时漏电路径的风险最高。

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