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龙图腾网获悉杭州广立微电子股份有限公司申请的专利一种识别晶体管及其栅极至体极的漏电路径的方法、存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211204327.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种识别晶体管及其栅极至体极的漏电路径的方法、存储设备是由尤炎;曾祥芮;杨璐丹;潘伟伟设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种识别晶体管及其栅极至体极的漏电路径的方法、存储设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种识别晶体管栅极至体极漏电路径的方法，包括：获取版图，根据图层间的连接关系，识别出与目标晶体管栅极有连接关系的M0P、V0和M1，合并所述M0P、V0和M1得到图形并记为seed_conn；根据版图中的电路连接关系，获取与目标晶体管体极相连的电路路径，识别出所述电路路径中与所述seed_conn有连接关系的电路路径并记为目标晶体管栅极到体极的漏电路径，判定存在漏电风险。本发明还公开一种识别晶体管漏电路径的方法，该方法能够全面表征晶体管的漏电风险。本发明另外还公开一种存储设备，所述存储设备可用于执行上述识别晶体管栅极至体极漏电路径的方法的指令。

本发明授权一种识别晶体管及其栅极至体极的漏电路径的方法、存储设备在权利要求书中公布了：1.一种识别晶体管栅极至体极漏电路径的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：获取版图，所述版图至少包括多晶硅连接层、通孔层、连接层和多晶硅层；其中，所述多晶硅连接层的图形记为M0P，用于连接多晶硅层；所述连接层的图形记为M1；所述通孔层的图形记为V0，用于连接M0和M1；所述M0包括M0P和M0A，有源区连接层的图形记为M0A，用于连接有源区； 根据图层间的连接关系，识别出与目标晶体管栅极有连接关系的M0P、V0和M1，合并所述M0P、V0和M1得到图形并记为seed_conn； 步骤二：根据版图中的电路连接关系，获取与目标晶体管体极相连的电路路径，识别出所述电路路径中与所述seed_conn有连接关系的电路路径并记为目标晶体管栅极到体极的漏电路径，判定存在漏电风险； 还识别出目标晶体管栅极到体极的漏电路径所经过的浮栅及其数量，所述浮栅是指无连接线外引进行输入输出控制的栅极；将所述目标晶体管栅极到体极的漏电路径经过的浮栅数量作为指标表征所述漏电路径的漏电风险，漏电路径经过浮栅越少则漏电风险越高。

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