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龙图腾网获悉集美大学申请的专利掺杂调控阻变性能的阻变存储器、制备方法及分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115643789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211100798.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权掺杂调控阻变性能的阻变存储器、制备方法及分析方法是由潘金艳;贺宏杨;李铁军;高云龙;林于翔;王乐言;杨舒雅;林向钰婕设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本掺杂调控阻变性能的阻变存储器、制备方法及分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掺杂调控阻变性能的阻变存储器、制备方法及分析方法，涉及阻变存储器技术领域，该阻变存储器自下至上依次包括底电极、阻变层和顶电极；阻变层为一定密度的掺杂粒子组成的HfO2薄膜；掺杂粒子为掺杂量子点或者掺杂块体薄层；掺杂量子点为Ag量子点；掺杂块体薄层为Ag块体薄层，其中，第一距离与第二距离相同；第一距离为掺杂粒子与底电极之间的距离；第二距离为掺杂粒子与顶电极的距离。本发明能够达到调控SETRESET电压的目的。

本发明授权掺杂调控阻变性能的阻变存储器、制备方法及分析方法在权利要求书中公布了：1.一种掺杂调控阻变性能的阻变存储器的分析方法，其特征在于，包括：所述掺杂调控阻变性能的阻变存储器的结构为：自下至上依次包括底电极、阻变层和顶电极；所述阻变层为由一定密度的掺杂粒子组成的HfO2薄膜；所述掺杂粒子为掺杂量子点或者掺杂块体薄层；所述掺杂量子点为Ag量子点；所述掺杂块体薄层为Ag块体薄层；其中，第一距离与第二距离相同；所述第一距离为所述掺杂粒子与所述底电极之间的距离；所述第二距离为所述掺杂粒子与所述顶电极的距离； 将阻变存储器低阻态时的导电细丝形成情况等效为第一双通道导电细丝等效电路模型；所述第一双通道导电细丝等效电路模型至少包括两个不接触的掺杂量子点，其中，第一掺杂量子点与第二掺杂量子点形成的n通道为断开状态，所述第一掺杂量子点与顶电极之间的阻变层设为第一电阻，所述第一掺杂量子点与底电极之间的阻变层设为第二电阻，第二掺杂量子点与所述顶电极之间的阻变层设为第三电阻，所述第二掺杂量子点与所述底电极之间的阻变层设为第四电阻； 将阻变存储器低阻态时的导电细丝形成情况等效为第二双通道导电细丝等效电路模型；所述第二双通道导电细丝等效电路模型至少包括掺杂块体薄层，所述掺杂块体薄层包括多个掺杂量子点；其中，第一标记量子点与所述第一标记量子点相邻的所述掺杂量子点接触；所述第一标记量子点与第二标记量子点形成的n通道为连通状态，所述第一标记量子点与顶电极之间的阻变层设为第五电阻，所述第一标记量子点与底电极之间的阻变层设为第六电阻，所述第二标记量子点与所述顶电极之间的阻变层设为第七电阻，所述第二标记量子点与所述底电极之间的阻变层设为第八电阻；所述第一标记量子点为任一掺杂量子点，所述第二标记量子点为任一掺杂量子点，且所述第一标记量子点与所述第二标记量子点不为同一掺杂量子点； 确定第一总电阻值和第二总电阻值；所述第一总电阻值为当所述n通道断开时，利用电路网络计算方法对所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻和所述第四电阻进行赋值操作后得到的所述第一双通道导电细丝等效电路模型对应的总电阻值；所述第二总电阻值为当所述n通道连通时，利用电路网络计算方法对所述第五电阻、所述第六电阻、所述第七电阻和所述第八电阻进行赋值操作后得到的所述第二双通道导电细丝等效电路模型对应的总电阻值； 根据所述第一总电阻值和所述第二总电阻值，分析设计所述阻变存储器，验证所得到的阻变性能。

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