长鑫存储技术有限公司胡先德获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利探针卡、探针卡的操作方法及测试系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115684682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110858077.2,技术领域涉及:G01R1/073;该发明授权探针卡、探针卡的操作方法及测试系统是由胡先德;钟明修;杜军鸽设计研发完成,并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本探针卡、探针卡的操作方法及测试系统在说明书摘要公布了:本申请实施例提供一种探针卡、探针卡的操作方法及测试系统,探针卡包括:长针层,长针层包括多个分区,每一分区内具有若干探针;位于长针层上的多个温度调节模块和多个高度调节模块;每一温度调节模块用于改变自身温度,以调节一个分区内的探针的温度;每一高度调节模块用于调节一个分区内的探针的高度;控制层,控制层用于控制温度调节模块将探针的温度调节至测试温度后,还用于控制高度调节模块将探针的高度调节至预设高度。本申请实施例能够提高探针卡对半导体结构的测试结果的准确性。
本发明授权探针卡、探针卡的操作方法及测试系统在权利要求书中公布了:1.一种探针卡,所述探针卡用于测试半导体结构,其特征在于,包括: 长针层,所述长针层包括多个分区,所述分区之间相互独立,每一所述分区内具有若干探针; 位于所述长针层上的多个温度调节模块和多个高度调节模块;每一所述温度调节模块用于改变自身温度,以调节一个所述分区内的所述探针的温度;每一所述高度调节模块用于调节一个所述分区内的所述探针的高度; 控制层,所述控制层用于控制所述温度调节模块将所述探针的温度调节至测试温度后,还用于控制所述高度调节模块将所述探针的高度调节至预设高度;所述控制层对每个所述分区的所述高度调节模块和所述温度调节模块单独控制; 所述长针层包括多个支撑层,每一所述支撑层位于一所述分区内;所述支撑层具有相对的两面,所述探针固定于所述支撑层的一面,所述温度调节模块固定于所述支撑层的另一面,所述高度调节模块固定于所述温度调节模块背向所述支撑层的一面; 每一所述高度调节模块用于调节一个所述分区内的所述探针的高度,包括:每一所述高度调节模块用于改变一个所述分区内的所述支撑层的高度,以调节一个所述分区内的所述探针的高度; 所述控制层将一个所述分区的探针的高度设为预设高度,将其他所述分区的探针的高度与所述预设高度进行对比获得高度差;采用所述高度调节模块根据所述高度差进行高度调节,以使所有所述分区的探针的高度保持一致; 所述温度调节模块包括升温层和降温层,所述升温层用于提高所述探针的温度,所述降温层用于降低所述探针的温度;所述升温层与所述降温层层叠设置,且所述升温层位于所述长针层与所述降温层之间,所述升温层与所述长针层直接接触。
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