株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社彦坂年辉获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210096948.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法是由彦坂年辉;名古肇;田岛纯平;布上真也设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法在说明书摘要公布了：提供能够提高质量的氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法。根据实施方式，氮化物半导体包括基体和氮化物构件。氮化物构件包括：第一氮化物区域，包含Alx1Ga1‑x1N0x1≤1；以及第二氮化物区域，包含Alx2Ga1‑x2N0≤x21、x2x1。第一氮化物区域位于基体与第二氮化物区域之间。第一氮化物区域包括第一部分和第二部分。第二部分位于第一部分与第二氮化物区域之间。第一部分中的氧浓度高于第二部分中的氧浓度。第二部分中的氧浓度为1×1018cm3以下。第一部分的从第一氮化物区域向第二氮化物区域的第一方向上的第一厚度比第二部分的所述第一方向上的第二厚度薄。
本发明授权氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体，具备： 基体；以及 氮化物构件， 所述氮化物构件包括： 第一氮化物区域，包含Alx1Ga1-x1N，其中，所述x1是1；以及 第二氮化物区域，包含Alx2Ga1-x2N，其中，0≤x21、x2x1， 所述第一氮化物区域位于所述基体与所述第二氮化物区域之间， 所述第一氮化物区域包括第一部分和第二部分， 所述第一部分和所述第二部分包括AlN， 所述第二部分位于所述第一部分与所述第二氮化物区域之间， 所述第一部分中的氧浓度高于所述第二部分中的氧浓度， 所述第二部分中的所述氧浓度为1×1018cm3以下， 所述第一部分的从所述第一氮化物区域向所述第二氮化物区域的第一方向上的第一厚度比所述第二部分的所述第一方向上的第二厚度薄。
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