中国科学院合肥物质科学研究院侯再红获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种消除量子效率差异的膜层设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115793109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211639643.1，技术领域涉及：G02B1/10；该发明授权一种消除量子效率差异的膜层设计方法是由侯再红;秦来安;靖旭;谭逢富;王英俭设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种消除量子效率差异的膜层设计方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电测量与薄膜光学领域，特别涉及一种消除量子效率差异的膜层设计方法。所述膜层设计方法包括以下步骤：步骤S1：测定量子效率曲线，选定量子效率差异不满足应用需求的波段区间；步骤S2：分析选定波段的量子效率曲线的特征；步骤S3：根据所述特征匹配相应的光学膜层。通过本发明可以快速设计出消除量子效率差异的膜层。
本发明授权一种消除量子效率差异的膜层设计方法在权利要求书中公布了：1.一种消除量子效率差异的膜层设计方法，其特征在于，所述膜层设计方法包括以下步骤： 步骤S1：测定量子效率曲线，选定量子效率差异不满足应用需求的波段区间； 步骤S2：分析选定波段的量子效率曲线的特征,所述特征包括单减型、单增型、单谷型、单峰型、双谷型、双峰型和振荡型； 步骤S3：根据所述特征匹配相应的光学膜层； 所述步骤S1具体包括： 使用量子效率检测仪进行实时数据测量，选择工作波段中量子效率最大值与最小值的差值变化范围超过预定变化范围的区间作为不满足应用需求的波段区间。
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