上海电机学院林思琪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海电机学院申请的专利一种Ag2Se基热电晶体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115852471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211398538.3，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种Ag2Se基热电晶体材料及其制备方法是由林思琪;金敏;李荣斌;郭林林设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Ag2Se基热电晶体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种Ag2Se基热电晶体材料及其制备方法，该制备方法包括真空封装、多晶预熔和晶体生长步骤，具体为：以银和硒单质为原料，按化学式Ag2Se1+x进行配料，装入反应器1中，抽真空后进行封装；将反应器1放入高温摇摆炉中，从室温开始加热并保温，达到最高温度时开启摇摆，预熔结束后取出反应器1自然冷却；将反应器1置于布里奇曼炉中，从室温开始加热并保温，开始执行晶体生长过程，生长结束后炉冷。与现有技术相比，本发明通过优化布里奇曼生长炉的生长温度、温度梯度、下降速度等参量，获得具有明显晶面取向性的Ag2Se基热电晶体材料，其中所生长Ag2Se1.02晶体材料的热电无量纲优值在375K时可达到0.58，是一类良好的近室温热电材料。
本发明授权一种Ag2Se基热电晶体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ag2Se基热电晶体材料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤： 1真空封装：以银和硒单质为原料，按化学式Ag2Se1+x的化学计量比进行配料，混合均匀装入反应器1中，抽真空后进行封装； 2多晶预熔：将装有原料的反应器1放入高温摇摆炉中，从室温开始加热并保温，达到最高温度时开启摇摆，预熔结束后取出反应器1自然冷却，得到预熔多晶铸锭； 3晶体生长：将装有预熔多晶铸锭的反应器1置于布里奇曼炉中，从室温开始加热并保温，开始执行晶体生长过程，生长结束后炉冷，得到AgSe基热电晶体材料； 步骤1中x的取值范围为0≤x≤0.02； 步骤3中加热的温度为1173-1373K，晶体生长的下降速度为0.5-2.0mmh，温度梯度为20-40Kcm。
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