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龙图腾网获悉至讯创新科技(无锡)有限公司申请的专利NAND闪存实现同或运算的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115862710B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211619068.9，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权NAND闪存实现同或运算的控制方法是由汤强设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本NAND闪存实现同或运算的控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种NAND闪存实现同或运算的控制方法，包括提供NAND闪存，所述NAND闪存包括至少一个存储块和若干读出放大器，所述存储块包括若干突触串、若干位线和若干字线，所述突触串包括若干串联的存储单元，所述突触串与所述位线一一对应连接，所述字线均连接所有所述突触串，所述读出放大器与所述位线一一对应连接，通过控制数据的存储方式以及字线的电压，实现了NAND闪存的同或运算。

本发明授权NAND闪存实现同或运算的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种NAND闪存实现同或运算的控制方法，其特征在于，包括以下步骤： S0：提供NAND闪存，所述NAND闪存包括至少一个存储块和若干读出放大器，所述存储块包括若干突触串、若干位线和若干字线，所述突触串包括若干串联的存储单元，所述突触串与所述位线一一对应连接，所述字线均连接所有所述突触串，所述读出放大器与所述位线一一对应连接； S1：同一存储块中，选取任一所述突触串作为第一突触串，选取剩余所述突触串中的任一突触串作为第二突触串，选取所述第一突触串中的任一存储单元作为第一存储单元，选取所述第二突触串中的任一存储单元作为第二存储单元，向所述第一存储单元写入第一数据，向所述第二存储单元写入第二数据，所述第一存储单元连接的字线与所述第二存储单元连接的字线不同，且所述第一数据和所述第二数据互为反相数据； S2：向所述第一存储单元连接的字线施加第一电位电压，向所述第二存储单元连接的字线施加第二电位电压，且所述第一电位电压与所述第二电位电压不同； S3：通过相应读出放大器从所述第一突触串读取数据，并输出第一运算数据，通过相应读出放大器从所述第二突触串读取数据，并输出第二运算数据； S4：根据所述第一运算数据、所述第二运算数据中的至少一个得到结果数据。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人至讯创新科技(无锡)有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111-34号软件园天鹅座D座8层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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