西安电子科技大学常晶晶获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863435B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211497523.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法是由常晶晶;崔东升;林珍华;薛怡馨;苏杰;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法，该铁电存储器包括：下电极1、Al1‑xScxN薄膜层2、Al1‑yScyN薄膜层3和上电极4，其中，所述Al1‑xScxN薄膜层2位于所述下电极1上；所述Al1‑yScyN薄膜层3位于所述Al1‑xScxN薄膜层2上，x≠y，且所述Al1‑yScyN薄膜层3的直径小于所述Al1‑xScxN薄膜层2的直径；所述上电极4位于所述Al1‑xScxN薄膜层2和所述Al1‑yScyN薄膜层3上。该铁电存储器采用Al1‑xScxN薄膜层和Al1‑yScyN薄膜层形成双层薄膜，通过控制Sc元素即x和y的含量来保证两层薄膜的组分不同，从而让第二层Al1‑yScyN薄膜起到改变第一层Al1‑xScxN薄膜的剩余极化强度，实现多级存储的中间状态。
本发明授权一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多级存储的基于Al1-xScxN薄膜的铁电存储器，其特征在于，包括：下电极1、Al1-xScxN薄膜层2、Al1-yScyN薄膜层3和上电极4，其中， 所述Al1-xScN薄膜层2位于所述下电极1上； 所述Al1-yScN薄膜层3位于所述Al1-xScN薄膜层2上，x≠y，且所述Al1-yScN薄膜层3的直径小于所述Al1-xScN薄膜层2的直径； 所述上电极4位于所述Al1-xScN薄膜层2和所述Al1-yScN薄膜层3上。
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