深圳先进技术研究院刘旭辉获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳先进技术研究院申请的专利一种热敏薄膜、红外探测器及红外探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115900966B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211306768.2，技术领域涉及：G01J5/20；该发明授权一种热敏薄膜、红外探测器及红外探测器的制备方法是由刘旭辉;李文杰;杨春雷;邓立刚;谭中营设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种热敏薄膜、红外探测器及红外探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及热敏材料、红外探测技术领域，公开及一种热敏薄膜、红外探测器及红外探测器的制备方法，其中，所述热敏薄膜包括SnSex颗粒，其中，x＝1～2。本发明提供的热敏薄膜的电阻温度系数TCR高达3.1％K，高于传统氧化钒及非晶硅热敏薄膜，可提高包含此热敏薄膜的器件的信号响应强度，提高器件性能。
本发明授权一种热敏薄膜、红外探测器及红外探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种一体化红外探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供基底； 在所述基底上形成电极； 通过分子束外延生长法，在所述电极上形成热敏层，在所述热敏层上形成二维平面方向垂直于热敏层的SnSey纳米片，y＝1～4，得到红外吸收层； 所述热敏层为热敏薄膜，所述热敏薄膜包括SnSex颗粒，其中x＝1～2；在所述电极上形成热敏层采用的工艺参数为：衬底的加热温度为150～280℃，Sn源的加热温度为900～1300℃，Se源的加热温度为220～280℃，反应时间为1～100min； 在所述热敏层上形成二维平面方向垂直于热敏层的SnSey纳米片采用的工艺参数为：衬底的加热温度为150～280℃，Sn源的加热温度为900～1300℃，Se源的加热温度为220～280℃，反应时间为1～100min。
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