大连理工大学李大卫获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种用于微纳尺度非线性光多维度调控的二维半导体/图案化铁电异质结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115903333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211318835.2，技术领域涉及：G02F1/37；该发明授权一种用于微纳尺度非线性光多维度调控的二维半导体/图案化铁电异质结构及制备方法是由李大卫设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于微纳尺度非线性光多维度调控的二维半导体/图案化铁电异质结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于微纳尺度非线性光多维度调控的二维半导体图案化铁电异质结构及制备方法，其异质结构，包括位于下层的图案化铁电超薄膜和位于上层的二维半导体层；激发光垂直入射到异质结构，作用在二维半导体层上产生二次谐波光信号，利用图案化铁电超薄膜的极化特性并通过层间耦合效应，在不同铁电畴区诱导二维半导体层出射的非线性光振幅、偏振态、几何相位发生改变。当线偏振光入射时，在电畴区产生具有三重对称偏振态、几何相位0°～60°可调的二次谐波；在畴壁区产生具有双重对称偏振态、几何相位0°～360°可调的二次谐波。其体积小、制备工艺简单，在光信息处理、集成光路、微纳非线性光调制器等领域具有实际应用价值。
本发明授权一种用于微纳尺度非线性光多维度调控的二维半导体/图案化铁电异质结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于微纳尺度非线性光多维度调控的二维半导体图案化铁电异质结构，其特征在于，包括位于下层的图案化铁电超薄膜和位于上层的二维半导体层；激发光垂直入射到异质结构，作用在二维半导体层上产生二次谐波光信号，利用图案化铁电超薄膜的极化特性并通过层间耦合效应，在不同铁电畴区诱导二维半导体层出射的非线性光振幅、偏振态、几何相位发生改变； 所述铁电畴区包括电畴区和畴壁区；所述二维半导体层的单层和双层区分别覆盖了铁电畴微结构的一半区域； 当线偏振光入射时，在电畴区产生具有三重对称偏振态、几何相位0o~60o可调的二次谐波；在畴壁区产生具有双重对称偏振态、几何相位0o~360o可调的二次谐波。
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