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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种带隙基准电压源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115933801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310042475.6，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带隙基准电压源电路是由魏琦;周斌;廖铧;邹军军设计研发完成，并于2023-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙基准电压源电路在说明书摘要公布了：本发明属于微电子与固体电子学技术领域，涉及一种带隙基准电压源电路，包括：核心电路和误差放大器电路；核心电路包括第一电阻，第二电阻、第一三极管和第二三极管，第一电阻的输出端与第一三极管以及第二三极管的集电极连接，第二三极管的发射极与第二电阻的输入端连接，且第二三极管的基极与第二三极管的集电极连接，第一三极管与第二三极管的集电极分别与误差放大器电路中的第七PMOS管和第八PMOS管的栅极相连；核心电路与误差放大器电路形成负反馈，稳定输出的电压。其具有低误差放大器噪声传递系数，并具有输出噪声低的特性。

本发明授权一种带隙基准电压源电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电压源电路，其特征在于，包括：核心电路和误差放大器电路； 所述核心电路包括第一电阻，第二电阻、第一三极管和第二三极管，所述第一电阻为两个，其中一所述第一电阻的输出端与所述第一三极管的集电极连接，另一个所述第一电阻的输出端与第二三极管的集电极连接，第二三极管的发射极与第二电阻的输入端连接，且第二三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接，所述第一三极管与所述第二三极管的集电极分别与所述误差放大器电路中的第七PMOS管和第八PMOS管的栅极相连；所述核心电路与所述误差放大器电路形成负反馈，稳定输出的电压； 所述核心电路还包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与电源电压连接，所述第一NMOS管的源极与两个所述第一电阻的输入端连接，所述第一NMOS管的栅极与所述误差放大器电路中的第五PMOS管的漏极连接； 所述带隙基准电压源电路还包括高阶补偿电路，所述高阶补偿电路设置在所述核心电路和误差放大器电路之间，所述高阶补偿电路用于补偿核心电路输出带隙电压中的高阶温度项； 所述核心电路的电压输出端产生的带隙电压的计算公式为： 其中，是所述第一三极管的基极-发射极电压，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度， 所述带隙基准电压源电路输出端的噪声传递系数的计算公式为： 其中，为噪声传递系数，是第二电阻两端电压的变化量，是B点电压的变化量，是输出参考电压的变化量，是第一三极管与第二三极管的跨导，第一电阻，是第二电阻，是第二三极管和第一三极管的发射极截面积之比。

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