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龙图腾网获悉惠州市亿能电子有限公司申请的专利一种可快速关断MOS的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115940079B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211623336.4，技术领域涉及：H02H3/08；该发明授权一种可快速关断MOS的电路是由文锋;郭宏榆;蔡弘;文灿飞设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可快速关断MOS的电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种可快速关断MOS的电路，包括驱动芯片、二极管D1、MOS管Q2、电阻R2和三极管Q1，二极管D1的正极端连接所述驱动芯片，二极管D1的负极端连接MOS管Q2的G极，三极管Q1的B极端连接驱动芯片，三极管Q1的E极端连接MOS管Q2的G极端，三极管Q1的C极端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接MOS管Q2的S极端，电阻R1一端连接驱动芯片，电阻R1的另一端连接所述MOS管Q2的G极端，电阻R3的一端连接MOS管Q2的S极端，电阻R3的另一端连接驱动芯片；MOS管Q2的G极端电压通过电阻R1泄放，MOS管Q2的S极端电压通过电阻R3泄放，MOS管Q2的G极端电压会使得三极管Q1的C、E极导通，经过电阻R2将G极和S极两端的电压拉成一致并降为0，而快速关断作用。

本发明授权一种可快速关断MOS的电路在权利要求书中公布了：1.一种可快速关断MOS的电路，其特征在于，包括驱动芯片、二极管D1、MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和三极管Q1，所述二极管D1的正极端连接所述驱动芯片，所述二极管D1的负极端连接所述MOS管Q2的G极，所述三极管Q1的B极端连接所述驱动芯片，所述三极管Q1的E极端连接所述MOS管Q2的G极端，所述三极管Q1的C极端连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接所述MOS管Q2的S极端，所述电阻R1一端连接所述驱动芯片，所述电阻R1的另一端连接所述MOS管Q2的G极端，所述电阻R3的一端连接所述MOS管Q2的S极端，所述电阻R3的另一端连接所述驱动芯片；所述MOS管Q2的G极端电压通过所述电阻R1泄放，所述MOS管Q2的S极端电压通过所述电阻R3泄放，所述MOS管Q2的G极端电压会使得三极管Q1的C、E极导通，经过电阻R2将拉低G极和S极两端的电压并降为0，而快速关断； 还包括二极管Z1，所述二极管Z1的正极端连接所述MOS管Q2的S极端，所述二极管Z1的负极端连接所述MOS管Q2的D极端； 所述MOS管Q2的D极端形成输入端。

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