长江存储科技有限责任公司张中获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种三维存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310099374.2，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权一种三维存储器及其制作方法是由张中;韩玉辉;孔翠翠;张坤设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括叠层结构、虚设结构及栅线缝隙，其中，叠层结构包括在垂直方向上交替堆叠的栅线层与隔离层，虚设结构及栅线缝隙均沿垂直方向贯穿叠层结构，虚设结构包括第一虚设部与第二虚设部，栅线缝隙的一端伸入由第一虚设部与或第二虚设部形成的间隙中，第一虚设部与第二虚设部中的至少一个与栅线缝隙在水平面上的投影部分重叠，以实现虚设结构与栅线缝隙的连接。这种将栅线缝隙端部包裹住，但又不完全重叠的虚设结构设计可以有效改善虚设结构与栅线缝隙交界处栅线缝隙刻蚀的工艺窗口问题，有效减少消除虚设结构与栅线缝隙交界处的脆弱点，有助于提高器件可靠性。
本发明授权一种三维存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 叠层结构，包括在垂直方向上交替堆叠的栅线层与电介质层； 虚设结构，沿垂直方向贯穿所述叠层结构，所述虚设结构包括第一虚设部与第二虚设部； 栅线缝隙，沿垂直方向贯穿所述叠层结构，所述栅线缝隙的一端伸入由所述第一虚设部与或所述第二虚设部形成的间隙中， 所述间隙分别位于所述第一虚设部围成的区域以及所述第二虚设部围成的区域，所述虚设结构还包括第三虚设部，所述第三虚设部位于所述第一虚设部及所述第二虚设部之间且分别与所述第一虚设部和所述第二虚设部连接，且所述第三虚设部与所述栅线缝隙间隔预设距离。
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