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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111233334.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构的形成方法是由殷立强;王静;崇二敏设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括基底以及位于基底上的第一鳍部和第二鳍部；在第一鳍部的表面和第二鳍部的表面形成第一功函数层；在第一功函数层上形成第二功函数层；在衬底上形成图形化层，图形化层内具有暴露出位于第一鳍部上的第二功函数层的刻蚀开口；以图形化层为掩膜，采用第一刻蚀工艺去除位于第一鳍部上的第二功函数层，且在去除位于第一鳍部上的第二功函数层的过程中，在位于第一鳍部上的第一功函数层表面形成保护层。通过在第一功函数层的表面形成保护层，能够有效降低在去除第二功函数层的过程中对第一功函数层的刻蚀损伤，进而降低对应晶体管所需要的阈值电压的影响，以此提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的第一鳍部和第二鳍部； 在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁和所述第二鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述第一鳍部和所述第二鳍部的顶部表面； 在所述隔离层上伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部； 在所述伪栅结构的侧壁形成侧墙； 在所述隔离层上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅结构，且暴露出所述伪栅结构的侧壁； 去除所述伪栅结构，在所述介质层内形成栅极开口，所述栅极开口暴露出所述第一鳍部的部分表面和所述第二鳍部的部分表面； 在所述栅极开口暴露出的所述第一鳍部的表面和所述第二鳍部的表面形成第一功函数层； 在所述第一功函数层上形成第二功函数层； 在所述衬底上形成图形化层，所述图形化层内具有暴露出位于所述第一鳍部上的所述第二功函数层的刻蚀开口； 以所述图形化层为掩膜，采用第一刻蚀工艺去除位于所述第一鳍部上的所述第二功函数层，且在去除位于所述第一鳍部上的所述第二功函数层的过程中，在位于所述第一鳍部上的所述第一功函数层表面形成保护层。

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