万国半导体国际有限合伙公司余子威获国家专利权
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龙图腾网获悉万国半导体国际有限合伙公司申请的专利用于高功率密度应用的功率转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211282597.4，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权用于高功率密度应用的功率转换器是由余子威;陈霖;牛志强设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高功率密度应用的功率转换器在说明书摘要公布了：一种功率半导体封装包括一个引线框架、一个半导体芯片和一个模制封装。所述引线框架包括升高的部分，所述升高的部分包括源极部分；漏极部分；以及多个引线。半导体芯片包括布置在引线框架上的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。半导体芯片包括源极电极、漏极电极和栅极电极。半导体芯片的源极电极与引线框的升高部分的源极部分电连接和机械连接。半导体芯片用作低端场效应晶体管，作为通过第一热界面材料连接到散热器的翻转芯片。高端场效应晶体管通过第二热界面材料连接到散热器。低端场效应晶体管和高端场效应晶体管安装在印刷电路板上。
本发明授权用于高功率密度应用的功率转换器在权利要求书中公布了：1.一种高功率密度功率转换器，包括： 一个印刷电路板，包括多个相互隔绝的接触焊盘，多个接触焊盘含有一个高端漏极垫和一个低端源极垫； 一个高端场效应晶体管，安装在印刷电路板上，所述的高端场效应晶体管包括 一个高端漏极引线，导电连接到印刷电路板的高端漏极焊盘；以及 一个顶部漏极电极，导电连接到高端漏极引线； 一个低端场效应晶体管，安装在印刷电路板上，所述的低端场效应晶体管包括 一个低端源极引线，导电连接到印刷电路板的低端源极焊盘；以及 一个顶部源极电极，导电连接到低端源极引线； 一个散热器，放置在高端场效应晶体管和低端场效应晶体管上方； 一个第一热界面材料层，其将所述高端场效应晶体管的顶部漏极电极耦合到所述散热器；以及 一个第二热界面材料层，其将所述低端场效应晶体管的顶部源极电极耦合到所述散热器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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