长鑫存储技术有限公司武羽获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310215738.9，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构是由武羽;王盈智;王士欣设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体制造技术领域，提供半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：提供基底层；在基底层上形成相互间隔的多个掩膜结构，掩膜结构包括两个第一侧墙结构和两个第二侧墙结构，两个第二侧墙结构分别位于两个第一侧墙结构中相对的两个侧壁上，第二侧墙结构包括沿远离基底层的厚度方向依次层叠的第一侧墙层和第二侧墙层；测量相邻掩膜结构的间距和两个第二侧墙结构的间距以进行对比；刻蚀基底层形成第一开口和第二开口，第二开口位于相邻掩膜结构之间，第一开口位于掩膜结构内的两个第二侧墙结构之间；其中，根据对比的结果，控制刻蚀工艺中第一侧墙结构相对于第二侧墙结构的刻蚀选择比，以保证半导体结构特征尺寸的一致性。
本发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底层； 在所述基底层上形成相互间隔的多个掩膜结构，所述多个掩膜结构中的每一掩膜结构包括相互间隔的两个第一侧墙结构和相互间隔的两个第二侧墙结构，所述两个第二侧墙结构分别位于所述两个第一侧墙结构中相对的两个侧壁上，所述第二侧墙结构包括沿远离所述基底层的厚度方向依次层叠的第一侧墙层和第二侧墙层； 测量相邻所述掩膜结构的间距和所述掩膜结构内的两个第二侧墙结构的间距以进行对比； 刻蚀所述基底层形成第一开口和第二开口，所述第二开口位于相邻所述掩膜结构之间，所述第一开口位于所述掩膜结构内的两个第二侧墙结构之间，其中，根据对比的结果，控制刻蚀工艺中所述第一侧墙结构相对于所述第二侧墙结构的刻蚀选择比。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励