长鑫存储技术有限公司张强获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310133154.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构是由张强;王宏付设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，其中，所述制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个功能结构，将位于多个所述功能结构之间的区域定义为待填充区域；向反应腔室内通入第一气体，以形成第一子层，所述第一子层至少覆盖所述功能结构的表面；执行第一处理工艺，以防止所述第一子层包含的元素发生迁移；向反应腔室内通入第二气体，以在所述第一子层的表面形成第二子层；执行第二处理工艺，以防止所述第二子层包含的元素发生迁移；其中，所述第一子层和所述第二子层位于所述功能结构侧表面的部分填充所述待填充区域。
本发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上形成多个功能结构，将位于多个所述功能结构之间的区域定义为待填充区域； 向反应腔室内通入第一气体，以形成第一子层，所述第一子层至少覆盖所述功能结构的表面； 执行第一处理工艺，以防止所述第一子层包含的元素发生迁移； 向反应腔室内通入第二气体，以在所述第一子层的表面形成第二子层； 执行第二处理工艺，以防止所述第二子层包含的元素发生迁移； 其中，所述第一子层和所述第二子层位于所述功能结构侧表面的部分填充所述待填充区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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