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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利D型单模光纤面上集成锥型聚合物波导结构及加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116125587B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211560470.4，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权D型单模光纤面上集成锥型聚合物波导结构及加工方法是由姜澜;付中原设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本D型单模光纤面上集成锥型聚合物波导结构及加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种D型单模光纤面上集成锥型聚合物波导结构及加工方法，属于全光纤集成光学器件领域。本发明利用本征模式展开法优化D型光纤抛光区域侧壁倾角与锥型光纤渐变区域长度，提高从纤芯到微纳波导的耦合效率，优化后透射率从0.06提升至0.64；微纳波导由渐变区域波导提供支撑实现悬空，减少模式串扰；通过对D型单模光纤抛光，使纤芯完全暴露并保留足够的平坦的抛面区域作为衬底，显著提高光学结构可扩展性与鲁棒性；利用飞秒激光烧蚀实现单模光纤侧面抛光，制成不同侧壁倾角的D型单模光纤，利用飞秒激光双光子聚合技术能够在抛光区域高精度打印锥型波导。本发明具有集成度高、耦合效率高、可扩展性强、鲁棒性高的优点。

本发明授权D型单模光纤面上集成锥型聚合物波导结构及加工方法在权利要求书中公布了：1.一种D型单模光纤面上集成锥型聚合物波导结构的加工方法，其特征在于：包括如下步骤， 步骤一：利用飞秒激光烧蚀实现单模光纤侧面抛光，制成D型单模光纤；通过对D型单模光纤抛光，抛光深度为71μm～73μm，使纤芯完全暴露并保留足够的平坦的抛面区域作为衬底；抛光区域两端的侧壁加工有倾角； 步骤二：将抛光区域浸没于光刻胶中并烘干； 步骤三：利用飞秒激光双光子聚合技术在抛光区域打印锥型波导；连接抛光区域侧壁的波导截面为6μm～9μm×19μm～21μm，用于提高波导与纤芯的耦合效率；锥型渐变区域长度为10μm～20μm，用于减少模式失配造成的损耗；渐变完成前波导均附着在抛面形成的衬底上，垂直衬底方向的波导截面宽度不变，保证波导的稳定性；渐变后波导横截面为0.6μm～1μm×8μm～10μm，渐变后波导悬空； 步骤四：将光纤浸没于酒精中，将未被光固化的光刻胶去除，获得处理后的D型单模光纤面上集成锥型聚合物波导结构； 所述D型单模光纤面上集成锥型聚合物波导结构将微纳波导直接耦合在D型光纤上，将D型光纤抛面区域作为光学结构的衬底；波导具有微纳光纤的尺寸，波导中加入具有强光场局域效应的锥型渐变区域，明显提高波导纤芯与锥型波导的耦合效率； 微纳波导由渐变区域波导提供支撑实现悬空，通过渐变后波导悬空减少模式串扰。

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