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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利基于氧化锌纳米线阵列的光控射频开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310101453.2，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权基于氧化锌纳米线阵列的光控射频开关是由高志远;王楷设计研发完成，并于2023-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于氧化锌纳米线阵列的光控射频开关在说明书摘要公布了：基于氧化锌纳米线阵列的光控射频开关，涉及纳米技术与射频技术领域。结构为：在选定的衬底上制备射频开关，每个开关结构包括两个相对的氧化锌种子层，种子层之上为纵向纳米线抑制层，在抑制层之上错位设置复合电极层。感光部分的氧化锌纳米线在种子层侧壁生长，间隙两侧纳米线形成桥接。根据氧化锌纳米线在紫外光照射前后纳米线表面耗尽层宽度变化引起的阻抗变化，来控制开关的打开与闭合状态。本发明在纳米级别制备出射频开关，可满足射频器件和光电转换器件小型化的需求，同时氧化锌具有多种纳米结构并且制备工艺相对简单适合大规模生产，成本更低，还可以实现射频开关矩阵。

本发明授权基于氧化锌纳米线阵列的光控射频开关在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化锌纳米线阵列的光控射频开关，其特征在于，包括：衬底、氧化锌种子层、纵向纳米线抑制层、复合电极层、氧化锌纳米线；在衬底3上至少有两并列平行的氧化锌种子层4，两氧化锌种子层之间具有缝隙，两氧化锌种子层相对的侧面称为A侧面；两氧化锌种子层上表面分别为纵向纳米线抑制层2，复合电极层1将纵向纳米线抑制层2和氧化锌种子层4包覆，但只留氧化锌种子层A侧面、纵向纳米线抑制层2A侧面以及纵向纳米线抑制层上表面与A侧面相邻接的上表面暴露，氧化锌种子层A侧面有横向生长的ZnO纳米线阵列，两氧化锌种子层A侧面的ZnO纳米线阵列中的ZnO纳米线5相互搭接在一起，形成桥接结构，在两个复合电极层1之间悬空； 氧化锌种子层宽度3微米～5微米，氧化锌种子层厚度为90纳米～150纳米； 所述纵向纳米线抑制层2自氧化锌种子层4向上依次为Ti层和Au层即，Ti层厚度为3纳米～6纳米，Au层厚度为10纳米～20纳米； 所述复合电极层自纵向纳米线抑制层2向外依次为Ti层和Au层即，Ti层厚度为10纳米～20纳米，Au层厚度为500纳米～1200纳米； ZnO纳米线的直径为50纳米～300纳米； 利用氧化锌纳米线的敏感性，在无光情况及空气条件下，氧化锌纳米线表面形成高阻的耗尽层，桥接结构的桥接处氧化锌相当于断开，此时纳米线桥接结构阻抗较大，射频信号经纳米线传输时传输系数较低；当紫外光照射时，氧化锌纳米线的电子空穴对发生分离，耗尽层变薄，桥接处氧化锌桥接在一起，相当于导电沟道打开，纳米线内部电子载流子浓度增加，此时纳米线呈低阻状态，增强了沿纳米线传输的射频信号； 所述紫外光的波长为10纳米~400纳米，光强大于1mwcm2。

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