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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利集成MOS器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111362753.3，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权集成MOS器件的制作方法是由徐鹏龙;许超奇;林峰;马春霞;陈淑娴;张仪设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成MOS器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供的集成MOS器件的制作方法中，基底的第一和第二MOS器件区上分别形成有第一和第二栅极结构，第一栅极结构的第一栅介质层的厚度小于第二栅极结构的第二栅介质层的厚度；基于图形化的第一掩膜层执行第一次掺杂处理，在第一栅极结构两侧的基底内形成具有第一导电类型的第一掺杂区，并在第二栅极结构两侧的基底内形成具有第一导电类型的第二掺杂区；继续基于第一掩膜层执行第二次掺杂处理，在第一栅极结构两侧的基底内形成具有第二导电类型的第三掺杂区，第三掺杂区位于第一掺杂区的上表层且延伸至第一栅导电层的下方。如此仅利用一个掩膜层即可形成第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，有助于节省掩模版，降低制造成本。

本发明授权集成MOS器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成MOS器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括相互隔离的第一MOS器件区和第二MOS器件区，所述第一MOS器件区和所述第二MOS器件区上分别形成有第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构包括依次叠设在所述基底上的第一栅介质层和第一栅导电层，所述第二栅极结构包括依次叠设在所述基底上的第二栅介质层和第二栅导电层，所述第一栅介质层的厚度小于所述第二栅介质层的厚度； 在所述基底上形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露所述第一MOS器件区的基底和所述第二MOS器件区的基底； 基于所述图形化的第一掩膜层，执行第一次掺杂处理，在所述第一栅极结构两侧的基底内形成具有第一导电类型的第一掺杂区，并在所述第二栅极结构两侧的基底内形成具有第一导电类型的第二掺杂区；以及 继续基于图形化的第一掩膜层，执行第二次掺杂处理，所述第二次掺杂处理倾斜注入，在所述第一栅极结构两侧的基底内形成具有第二导电类型的第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第一掺杂区内的上表层，且所述第三掺杂区从所述第一栅导电层的侧边侧向延伸至所述第一栅导电层的下方并作为晕环掺杂区，所述第一导电类型与第二导电类型相反，所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度。

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