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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利一种高功率束流下的同位素生产靶组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156727B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211590423.4，技术领域涉及：H05H6/00；该发明授权一种高功率束流下的同位素生产靶组件是由何源;贾欢;蔡汉杰;张勋超;普能;秦元帅设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率束流下的同位素生产靶组件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高功率束流下的同位素生产靶组件，包括：靶室，所述靶室由靶室前板、靶室后板、靶室上盖板、靶室下盖板及左右侧板组成，所述靶室前板和所述靶室后板上设置有若干呈阵列布置的靶窗；靶胶囊，数量若干，呈单层平面阵列排布或多层立体阵列排布，所述靶室内竖直间隔布置有若干靶室单元隔板，若干所述靶室单元隔板将所述靶室分隔成若干空腔，每个所述空腔内均布置有偶数片栅板，每个所述栅板上均开设有若干靶胶囊定位孔，每个所述靶室单元隔板上均设置有与所述栅板相对应的刻槽，若干所述靶胶囊呈阵列形式嵌入所述靶胶囊定位孔内，并通过所述刻槽进行限位固定；若干所述靶窗与束流在射入或射出端面上正对的所述靶胶囊一一对应布置。

本发明授权一种高功率束流下的同位素生产靶组件在权利要求书中公布了：1.一种高功率束流下的同位素生产靶组件，其特征在于，包括： 靶室，所述靶室由靶室前板10、靶室后板11、靶室上盖板8、靶室下盖板9及左右侧板组成，所述靶室前板10和所述靶室后板11上设置有若干呈阵列布置的靶窗； 靶胶囊1，数量若干，呈单层平面阵列排布或多层立体阵列排布，所述靶室内竖直间隔布置有若干靶室单元隔板4，若干所述靶室单元隔板4将所述靶室分隔成若干空腔，每个所述空腔内均布置有偶数片栅板2，每个所述栅板2上均开设有若干靶胶囊定位孔3，每个所述靶室单元隔板4上均设置有与所述栅板2相对应的刻槽，若干所述靶胶囊1呈阵列形式嵌入相邻两个所述栅板2的所述靶胶囊定位孔3内，并通过所述刻槽进行限位，从而夹在左右两个单元隔板4之间； 若干所述靶窗与束流在射入或射出端面上正对的所述靶胶囊1一一对应布置； 每个所述空腔内相邻两列所述靶胶囊1之间的缝隙以及所述靶胶囊1与所述靶室的前后板之间的缝隙为冷却水流道5； 所述靶室下盖板9上开设有若干进水口6，所述靶室上盖板8上开设有若干出水口7，所述进水口6、所述出水口7与所述冷却水流道5一一对应布置； 所述胶囊外壳采用高导热、高熔点、高强度、延展性好、易焊接的金属材料，所述同位素生产靶材料的形态包括粉末状、片状或块状。

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