浙江大学杭州国际科创中心张睿获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种基于双栅结构的感存一体图像传感器、制备方法及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211703095.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种基于双栅结构的感存一体图像传感器、制备方法及使用方法是由张睿;郑嘉麒;高大为设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双栅结构的感存一体图像传感器、制备方法及使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双栅结构的感存一体图像传感器、制备方法及使用方法。该图像传感器利用p‑i‑n结构对光的敏感性，将光信号转换为电信号，通过改变电学栅极和光学栅极上的电压实现信号的写入、读取和擦除，实现基于双栅结构的感存一体图像传感器，该图像传感器具有一系列优点。首先，基于双栅结构的感存一体图像传感器将传感器和存储器集成在一起，集成度更高，应用场景更加广泛。其次，基于双栅结构的感存一体图像传感器能有效降低功耗，实现低能耗图像传感器。此外，基于双栅结构的感存一体图像传感同时包含传感器和存储器，有效避免了额外的信号延时。
本发明授权一种基于双栅结构的感存一体图像传感器、制备方法及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双栅结构的感存一体图像传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在p-i-n型的硅衬底的p型区域内进行离子注入并退火形成重掺杂区，所述重掺杂区的掺杂类型为p+型重掺杂； 2在p-i-n型的硅衬底的p型区域表面先后沉积氮化硅层和第一金属层，通过先后刻蚀氮化硅层和第一金属层形成电学栅极结构； 3在p-i-n型的硅衬底的p型区域表面沉积第二金属层，通过刻蚀第二金属层形成光学栅极结构，最终形成基于双栅结构的感存一体图像传感器。
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