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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193970B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111412744.0，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法是由傅德颐;黄世明;张波;陈家栋;赵永鑫设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法在说明书摘要公布了：一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法，涉及自旋电子学。在硅衬底上制备长条状单层石墨烯，再制备双层h‑BN并转移到单层石墨烯上作为隧穿层，旋涂PMMA，利用EBL系统曝光出铁磁电极形状，曝光结束后显影；将样品放入电子束热蒸发复合镀膜系统，先用热蒸镀法预蒸镀低熔点金属铟作为缓冲层，再电子束蒸镀钴作为铁磁电极，200℃下氩气氛退火1h形成InCo混溶合金界面，得有缓冲层的自旋阀器件。该方法形成铁磁电极层‑缓冲层‑隧穿层的无损界面，实现提高自旋注入效率。易于实现，成本低廉，操作难度和技术要求低，利于大规模产业化应用；方法通用性非常好，可推广至其他带有隧穿层的自旋电子器件中，提高器件自旋注入效率。

本发明授权一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法，其特征在于包括以下步骤： 1采用机械剥离法在经预处理的硅衬底上制备长条状单层石墨烯； 2制备双层h-BN并转移到单层石墨烯上作为隧穿层，具体步骤包括： 1采用机械剥离的方法在涂覆有PMMAPMGI双胶层的纯硅衬底上得到双层h-BN晶体； 2以双层h-BN为中心，在物镜下沿视场边缘划一个圆圈，沿划痕滴入MF319溶剂以溶解底层的PMGI光刻胶； 3待PMGI完全溶解后，将载有双层h-BN晶体的圆形PMMA膜浮于去离子水表面； 4采用中空金属环将PMMA膜捞起晾干，翻转朝下，然后借助转移系统将h-BNPMMA膜转移到长条状石墨烯样品上； 5将转移得到的PMMAh-BN石墨烯样品置于高纯丙酮中充分溶解PMMA，然后在异丙醇中清洗，取出吹干，得到具有干净界面的h-BN石墨烯异质结样品； 3旋涂PMMA，利用EBL系统曝光出设计好的铁磁电极形状，曝光结束后显影，定影后吹干； 4样品放入电子束热蒸发复合镀膜系统，先用热蒸镀法预蒸镀低熔点金属铟作为缓冲层，再用电子束蒸镀钴作为铁磁电极层； 5在Ar气氛下退火，形成InCo混溶合金界面，这种铁磁电极层-缓冲层-隧穿层的无损界面，提高自旋注入效率。

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