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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种晶圆级外延薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116254598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310404521.2，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种晶圆级外延薄膜及其制备方法是由张易军;王虹;任巍;叶作光;王瑞康设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆级外延薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料薄膜技术领域，公开了一种晶圆级外延薄膜及其制备方法。该掺杂异质外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底放入原子层沉积设备的真空反应腔中，加热至预设温度，然后采用M源对衬底进行功能化处理；向真空反应腔中依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源；然后脉冲掺杂原子的前驱体源、M源：依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源，得到AxMy薄膜层；进行重复上述过程；或依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源，得到AxMy薄膜；然后进行退火处理，得到晶圆级外延薄膜。通过调节两种分子层的相对层数来调节掺杂原子的掺杂浓度，以实现掺杂元素在薄膜中的原子层掺杂。

本发明授权一种晶圆级外延薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级外延薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将衬底放入原子层沉积设备的真空反应腔中，加热至预设温度，然后采用M源对衬底进行功能化处理； 2向真空反应腔中依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源，得到AxMy薄膜层；然后脉冲掺杂原子的前驱体源、M源，得到掺杂原子层；再依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源，得到AxMy薄膜层；以上述过程为一个循环进行重复，得到掺杂薄膜； 或向真空反应腔中依次脉冲A源、M源，再重复脉冲A源、M源，得到AxMy薄膜； 3将掺杂薄膜或AxMy薄膜进行退火处理，得到晶圆级外延氮化物氧化物薄膜； 所述步骤2中AxMy包括氧化镓、氮化镓、氮化铝、氧化铪中的一种； 所述步骤2中掺杂原子为硅、氮、硫、铝、铜、锡、钛或钽，所述掺杂原子为硅时，掺杂原子的前驱体源为三二甲氨基硅烷或双二乙基氨基硅烷；所述掺杂原子为氮时，掺杂原子的前驱体源为NH3；所述掺杂原子为硫时，掺杂原子的前驱体源为H2S；所述掺杂原子为铝时，掺杂原子的前驱体源为三甲基铝、三乙基铝或二甲基异丙氧基铝；所述掺杂原子为铜时，掺杂原子的前驱体源为二二甲胺-2-丙醇铜；所述掺杂原子为钛时，掺杂原子的前驱体源为四异丙醇钛、四乙氧基钛或四二甲氨基钛；所述掺杂原子为钽时，掺杂原子的前驱体源为乙氧基钽、五二甲基氨基钽或三二乙基氨基叔丁酰胺钽；所述掺杂原子为锡时，掺杂原子的前驱体源为四二甲胺锡。

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