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龙图腾网获悉上海格晶半导体有限公司申请的专利一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259648B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310281861.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法是由白俊春;程斌;平加峰设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管，所述高压GaN基二极管包括N+GaN层、N‑GaN层、阶梯浮空金属环、阴极和阳极；所述N‑GaN层设置于N+GaN层上方，所述阶梯浮空金属环设置于N‑GaN层里面，所述阴极设置于N+GaN层底面上，所述阳极设置于N‑GaN层顶面上；本发明中的阶梯浮空金属环结构不会引入额外的寄生电容，同时对中间电流导通部分的N‑GaN层影响很小；正向电流密度没有明显降低；垂直阶梯浮空金属环结构在垂直方向上分散电场，相对比水平浮空金属环能够更大幅度提高击穿电压。

本发明授权一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管的制作方法，其特征在于：所述高压GaN基二极管包括N+GaN层1、N-GaN层2、阶梯浮空金属环3、阴极4和阳极5； 所述N-GaN层2设置于N+GaN层1上方，所述阶梯浮空金属环3设置于N-GaN层2里面，所述阴极4设置于N+GaN层1底面上，所述阳极5设置于N-GaN层2顶面上； 所述N+GaN层1的厚度为1-4um，所述N-GaN层2的厚度为3-9um； 所述高压GaN基二极管的制作方法如下所示： 步骤1、外延材料生长： 采用MOCVD工艺，在1-4umN+GaN层1上，生长3-9umN-GaN层2； 步骤2、凹槽的制作： 采用ICP刻蚀技术，在所述N-GaN层2结构上设置凹槽，凹槽深度0.2-1.5um，宽度为1-3um，孔数为2个以上，阳极左右两侧凹槽的深度对称且由边缘向阳极呈阶梯式递减； 步骤3、阴极制作： 在N+GaN层1底面上制作阴极4； 步骤4、阳极5和阶梯浮空金属环3的制作： 淀积顶面阳极和浮空金属环肖特基金属。

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