南亚科技股份有限公司萧钏林获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利存储器元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116266575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210811607.2，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权存储器元件及其制备方法是由萧钏林设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种具有多个字元线WL并减少泄漏的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括一半导体基底，其定义有一主动区并包括延伸至该半导体基底的一凹槽；以及设置在该凹槽内的一字元线，其中该字元线包括设置在该凹槽内的一绝缘层、由该绝缘层包围的一导电层以及由该导电层包围的一导电构件，并且该绝缘层包括与该凹槽共形的一衬层部分和设置在该导电层之上的一突出部分。本申请还公开一种该存储器元件的制备方法。
本发明授权存储器元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器元件的制备方法，包括： 提供一半导体基底，其定义有一主动区并包括围绕该主动区的一隔离层； 形成延伸至该半导体基底中并穿过该主动区的一第一凹槽； 形成与该第一凹槽共形的一第一绝缘层的一第一衬层部分； 将一第一导电材料共形设置到该第一衬层部分； 形成由该第一导电材料包围的一第一导电构件； 在该第一导电构件上方设置一第二导电材料，以形成包围该第一导电构件的一第一导电层； 在该第一导电层和该第一导电构件之上形成该第一绝缘层的一第一突出部分；以及 在设置该第二导电材料后，去除设置在该第一导电构件之上的该第一导电材料的一部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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