昆山国显光电有限公司刘桂琪获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山国显光电有限公司申请的专利减反膜的制备方法、减反膜、压印模板和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116299790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310315071.X，技术领域涉及：G02B1/111；该发明授权减反膜的制备方法、减反膜、压印模板和显示面板是由刘桂琪;张萌;杜凌霄;张欢欢;邓磊磊;王林松设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本减反膜的制备方法、减反膜、压印模板和显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供了一种减反膜的制备方法、减反膜、压印模板、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，解决了减反膜的制备工艺复杂、难以控制、良率低，成本高昂的问题。该方法包括：在第一基板上沉积非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层，多晶硅层包括晶界凸起，晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽；获取压印膜，并利用多晶硅层对压印膜进行压印，得到减反膜，其中，减反膜包括多个第一凸起，多个第一凸起和多个凹槽一一对应。该方法通过激光退火得到多晶硅层，有利于提高多晶硅层中晶界凸起的均匀性，进而提高了减反膜中第一凸起的均匀性，从而提高了显示面板对比度的均匀性，实现了可控、高效、低成本地制备良率高的减反膜的目的。
本发明授权减反膜的制备方法、减反膜、压印模板和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种减反膜的制备方法，其特征在于，包括： 在第一基板上沉积非晶硅层； 对所述非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层，所述多晶硅层包括晶界凸起，所述晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽； 获取压印膜，并利用所述多晶硅层对所述压印膜进行压印，得到所述减反膜，其中，所述减反膜包括多个第一凸起，所述多个第一凸起和所述多个凹槽一一对应； 所述多个第一凸起的密度为8000个每100平方微米至10000个每100平方微米； 所述方法还包括：在所述第一基板与所述多晶硅层之间设置缓冲层。
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