中国科学院近代物理研究所赵承心获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利一种束流检测探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116381769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310406619.1，技术领域涉及：G01T1/29；该发明授权一种束流检测探测器是由赵承心;杨海波设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种束流检测探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种束流检测探测器，包括：探测器外壳；设置在所述探测器外壳之内，并用于使所述束流检测探测器工作环境中的气体分子产生电荷的电场场笼；以及设置在所述探测器外壳之内，用于收集所述电荷的电荷收集装置，且所述电荷收集装置中包括有用于测量所述电荷的电荷量数据并输出的半导体像素芯片。本发明能够提供一种用于束流位置和剖面实时、精确监测的探测器。
本发明授权一种束流检测探测器在权利要求书中公布了：1.一种束流检测探测器，其特征在于，包括： 探测器外壳，所述探测器外壳，包括用于接收待检测粒子束流的入射窗，以及与所述入射窗平行相对的出射窗； 设置在所述探测器外壳之内，并用于使所述束流检测探测器工作环境中的气体分子产生电荷的电场场笼，形成所述电荷定向漂移的漂移区； 以及设置在所述探测器外壳之内，用于收集所述电荷的电荷收集装置，且所述电荷收集装置中包括有用于测量所述电荷的电荷量数据并输出的半导体像素芯片； 所述电荷收集装置，包括： 门电极，用于产生对电荷漂移速率进行控制的控制电场； 掩膜，具有与多个所述半导体像素芯片位置相对应的开孔，且具有屏蔽漂移区电场变化的作用； 芯片绑定板，其上设置有多个所述半导体像素芯片以形成芯片阵列； 所述门电极包括金属丝栅格，以及所述金属丝栅格的支撑结构，所述金属丝栅格，包括至少两层平行金属丝；每层所述平行金属丝中的金属丝径向方向与入射窗的平面相平行；每层所述平行金属丝的主平面与所述入射窗的平面相垂直； 所述至少两层平行金属丝的各层电势，用于根据所述束流检测探测器的探测器工作模式而施加，所述探测器工作模式，包括周期性采样模式、单次采样模式以及连续采样模式。
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