清华大学林元华获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利熵调控复合介电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116444987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310118436.X，技术领域涉及：C08L79/08；该发明授权熵调控复合介电薄膜及其制备方法是由林元华;窦绿叶;杨兵兵;南策文设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本熵调控复合介电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种熵调控复合介电薄膜，包括聚合物基体；填料，所述填料分散在所述聚合物基体中，所述填料包括Bi4‑aM1aTi3‑3bM2bO12，其中，M1包括镧、钕、钐和镨中的至少一种，所述M2包括锆、铪和锡中的至少一种，0≤a＜4,0＜b＜1，所述填料的熵值不小于1.5R。由此，该熵调控复合介电薄膜耐高温、击穿强度高、极化强度高、储能密度高、稳定性好。
本发明授权熵调控复合介电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种熵调控复合介电薄膜，其特征在于，包括： 聚合物基体； 填料，所述填料分散在所述聚合物基体中，所述填料包括Bi3.25La0.75Ti3-3xZr,Hf,Sn12，其中，0＜x＜1，所述填料的熵值不小于1.5R， 基于所述聚合物基体的总体积，所述填料的体积百分含量不大于10%， 所述聚合物基体包括：聚醚酰亚胺、聚酰亚胺、聚丙烯、低密度聚乙烯、聚芳醚脲、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚碳酸酯中的至少一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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