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龙图腾网获悉四川启睿克科技有限公司申请的专利基于样品吸收峰的阵列式光谱MEMS芯片排布方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116539558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310321485.3，技术领域涉及：G01N21/359；该发明授权基于样品吸收峰的阵列式光谱MEMS芯片排布方法是由刘浩;张国宏;陈宫傣;闫晓剑;赵浩宇设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于样品吸收峰的阵列式光谱MEMS芯片排布方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于样品吸收峰的阵列式光谱MEMS芯片排布方法，包括：计算光谱MEMS法珀腔芯片波长点典型式排布方式中各典型段包含的波长点数目；根据光谱MEMS法珀腔芯片的波长响应范围计算各典型段包含的特征波长点；结合特征波长点数目对阵列式光谱MEMS法珀腔芯片子单元进行阵列式排布；结合特征波长点的波长值采用间隔排布方式对子芯片阵列进行顺序排布。本发明将单点型MEMS光谱芯片转化为阵列式MEMS光谱芯片，有效提升光谱MEMS法伯腔芯片的采集效率及稳定性。同时，将传统单点型光谱MEMS法珀腔芯片的波长点均分式排布转化为基于样品吸收峰的典型式排布，增加待测样品组分特征信息的获取量提升光谱分析准确率。

本发明授权基于样品吸收峰的阵列式光谱MEMS芯片排布方法在权利要求书中公布了：1.基于样品吸收峰的阵列式光谱MEMS芯片排布方法，其特征在于，包括： 步骤a.计算光谱MEMS法珀腔芯片波长点典型式排布方式中各典型段包含的波长点数目； 步骤b.根据光谱MEMS法珀腔芯片的波长响应范围计算各典型段包含的特征波长点； 步骤c.结合特征波长点数目对阵列式光谱MEMS法珀腔芯片子单元进行阵列式排布； 步骤d.结合特征波长点的波长值采用间隔排布方式对子芯片阵列进行顺序排布； 所述步骤a中，包括基于样品吸收峰的典型式排布，具体方法为： 对光谱MEMS法珀腔芯片波长点进行典型式划分，划分为两个典型段，分别为特征典型段及非特征典型段，其中，特征典型段是以实际待测样品组分含量光谱吸收峰为中心进行特征点划分，非特征典型段是远离光谱吸收峰的波长点进行划分，且特征典型段包含的波长点数目大于非特征典型段的波长点数目； 其中，特征典型段包含的波长点数目向上取整，非特征典型段向下取整； 所述步骤b中，包括以均分式波长点划分方式为基准，计算各典型段包含的特征波长点；具体步骤包括： b1.光谱MEMS法珀腔芯片波长响应范围为λ1～λ2nm，包含的光谱特征波长点为M个，计算相邻两个特征波长点之间的波长范围 b2.若特征典型段的波长点密度为均分式波长点密度的b倍，则特征典型段两个相邻特征波长点之间的波长范围为H2＝H1b，可以计算出特征典型段的波段范围H3＝A1-1*H2，A1为特征典型段包含的波长点数目； b3.计算出非特征典型段的波段范围H4＝λ2-λ1-H3； b4.计算出非特征典型段两个相邻特征波长点之间的波长范围H5＝H4A2-1，A2为非特征典型段包含的波长点数目； b5.设定实际待测样品组分含量光谱吸收峰的波长值为λ3，采用以待测样品光谱吸收峰的波长点为中心点进行特征波长点选取，得到特征典型段包含的特征波长点。

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