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龙图腾网获悉北京无线电测量研究所申请的专利一种GaN激光器和GaN HEMT的集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116683280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310678490.X，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种GaN激光器和GaN HEMT的集成器件及其制备方法是由廖梦雅;董鹏;边旭明;徐浩设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN激光器和GaN HEMT的集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种GaN激光器和GaNHEMT的集成器件及其制备方法。包括基底；形成在基底上的激光器层结构和HEMT层结构，其间设置有隔离槽；覆盖激光器层结构、HEMT层结构和隔离槽的钝化层；形成在钝化层上的平坦化层，激光器层结构包括依次形成的N型GaN接触层、多层InGaN量子阱有源区和P型GaN接触层；HEMT层结构包括依次形成的掺杂的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；激光器层结构还包括N型GaN接触层形成的台阶，形成在该台阶上的N型电极，形成在P型GaN接触层上的P型电极；HEMT层结构还包括形成在AlGaN势垒层上的漏极和源极，形成在其间的栅极；平坦化层表面通过过孔与激光器的N型电极电连接的N型电极布线、电连接激光器的P型电极和HEMT的源极电极的连接布线。

本发明授权一种GaN激光器和GaN HEMT的集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN激光器和GaNHEMT的集成器件的制备方法，其特征在于， 所述集成器件包括 基底； 形成在基底上的GaN激光器层结构和形成在基底上的GaNHEMT层结构，其间设置有隔离槽； 覆盖所述GaN激光器层结构、所述GaNHEMT层结构和所述隔离槽的钝化层；以及 形成在所述钝化层表面上的平坦化层，其中 所述GaN激光器层结构包括在所述基底上依次形成的N型GaN接触层、多层InGaN量子阱有源区和P型GaN接触层； 所述GaNHEMT层结构包括在所述基底上依次形成的掺杂的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，所述掺杂的GaN缓冲层的厚度使得所述GaN激光器层结构和所述GaNHEMT层结构的上表面大体齐平； 所述GaN激光器层结构进一步包括所述N型GaN接触层形成的台阶，形成在该台阶表面上的N型电极，以及形成在所述P型GaN接触层表面上的P型电极； 所述GaNHEMT层结构进一步包括形成在所述AlGaN势垒层表面上的漏极和源极，以及形成在其间的栅极； 所述平坦化层表面的图案化布线层包括通过过孔与所述GaN激光器的N型电极电连接的N型电极布线、电连接所述GaN激光器的P型电极和所述GaNHEMT的源极电极的连接布线； 该方法包括 在基底上形成GaN激光器层结构； 在所述激光器层结构进行刻蚀至所述基底暴露用于形成GaNHEMT的区域； 在暴露的基底上外延形成GaNHEMT层结构； 形成位于所述GaN激光器层结构和所述GaNHEMT层结构之间且暴露所述基底的隔离槽，在所述GaN激光器层结构远离所述隔离槽一侧形成暴露GaN激光器N型GaN接触层表面的台阶； 在所得到的结构表面形成钝化层； 形成GaN激光器的N型电极和P型电极，形成GaNHEMT的源极、漏极和栅极； 形成平坦化层； 形成图案化布线层，包括通过过孔与GaN激光器的N型电极电连接的N型电极布线，以及电连接所述GaN激光器的P型电极和所述GaNHEMT源极的连接布线。

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