西安奕斯伟材料科技股份有限公司杨文武获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请的专利晶棒生长方法和晶棒生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116716663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310707576.0，技术领域涉及：C30B30/04；该发明授权晶棒生长方法和晶棒生长装置是由杨文武;梁万亮设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶棒生长方法和晶棒生长装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶棒生长方法，采用单晶炉进行晶棒生长，单晶炉内包括用于容纳硅熔液的坩埚，包括以下步骤：将籽晶浸入硅熔液中进行引晶形成晶棒，并施加磁场强度为第一预设值的水平磁场，在晶棒的轴向方向上，水平磁场的最强高斯面与硅溶液的液面在晶棒的轴向方向上的第一距离小于第二预设值；对晶棒进行等径生长，并施加磁场强度为第三预设值的尖点磁场，尖点磁场的零磁面位于坩埚的R弧部位。本发明还涉及一种晶棒生长装置。施加水平磁场，抑制硅熔液对流，从而改善由于硅熔液的对流的不确定性，导致熔体中析出氧及浸入晶棒中的氧具有不确定性的问题。施加尖点磁场，促进氧的析出，尖点磁场与水平磁场相互配合，使得氧有效且均匀的浸入晶棒中。
本发明授权晶棒生长方法和晶棒生长装置在权利要求书中公布了：1.一种晶棒生长方法，采用单晶炉进行晶棒生长，单晶炉内包括用于容纳硅熔液的坩埚，其特征在于，包括以下步骤： 将籽晶浸入硅熔液中进行引晶形成晶棒，并施加磁场强度为第一预设值的水平磁场，在所述晶棒的轴向方向上，所述水平磁场的最强高斯面与硅溶液的液面在所述晶棒的轴向方向上的第一距离小于第二预设值； 对晶棒进行等径生长，并施加磁场强度为第三预设值的尖点磁场，所述尖点磁场的零磁面位于坩埚的R弧部位； 所述水平磁场和所述尖点磁场互不干扰。
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