湖北九峰山实验室胡浩获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116859626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310691460.2，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器是由胡浩;王红莉;胡昌宇;沈晓安设计研发完成，并于2023-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器。该波导结构，由波导、下电极层、绝缘体层和栅极组成，从下到上依次由所述下电极层、所述绝缘体层和所述栅极构成的三明治结构位于所述波导的上方；所述波导为无掺杂的单晶硅，所述下电极层为导电硅材料。采用该波导结构制备得到的相位调制器，保持了下电极层高迁移率且掺杂浓度和厚度高度更加可控，相对于现有的采用整个硅波导作为下电极，能够避免在非有效调制区域引入高载流子浓度以及造成额外的光学损耗，整体损耗低、功耗低，且具有较好的相位调制效果。
本发明授权一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器在权利要求书中公布了：1.一种集成MOSCAP的波导结构，其特征在于，由波导、下电极层、绝缘体层和栅极组成，从下到上依次由所述下电极层、所述绝缘体层和所述栅极构成的三明治结构位于所述波导的上方； 所述波导为无掺杂的单晶硅，所述下电极层为导电硅材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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