浙江光特科技有限公司龚正致获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江光特科技有限公司申请的专利一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116953864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211519419.9，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法是由龚正致;李超翰;廖世容;万远涛设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法，硅光芯片包括：晶圆衬底，其上具有buriedoxideBOX层，BOX层上有顶层硅；以及在顶层硅上形成的波导；在所述晶圆衬底上刻蚀有激光槽，激光槽的立面与波导的端面距离在0.3微米至1微米微米之间。本发明方法采用以氧化硅或氮化硅为材料的介质层取代光刻胶，作为定义激光槽与波导端面边界位置的刻蚀掩膜。介质层沉积时具有较Conformal保形的特性，能有效减小波导端面台阶，缩短激光芯片出光端面与硅波导直接耦合端面间距Zgap至1微米以下或至0.3微米，可以降低激光芯片与硅波导直接耦合时的光损耗。
本发明授权一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：在具有BOX层的晶圆衬底上形成波导； 步骤2：在波导上沉积第一介质层； 步骤3：在第一介质层上，实施波导端面光刻，通过光刻胶涂布、曝光以及显影后在波导上形成第一光刻胶图形； 步骤4：干法刻蚀第一介质层； 步骤5：去除光刻胶； 步骤6：利用剩余的第一介质层作为刻蚀的掩膜，在波导上刻蚀出波导端面； 步骤7：在波导上及晶圆衬底上沉积第二介质层； 步骤8：第二介质层各向异性干法蚀刻直到去除BOX层，残余在波导端面的第二介质层形成第二介质层侧墙； 步骤9：激光槽光刻，通过光刻胶涂布、曝光以及显影后在波导上形成第三光刻胶图形； 步骤10：在晶圆衬底蚀刻出激光槽； 步骤11：第二介质层湿法刻蚀，去除波导端面的第二介质层侧墙； 步骤12：去除光刻胶。
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