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龙图腾网获悉宁波如意股份有限公司申请的专利一种用于碳化硅半导体的谐波抑制方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117040252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310452262.0，技术领域涉及：H02M1/12；该发明授权一种用于碳化硅半导体的谐波抑制方法、装置及存储介质是由叶国云;储江;叶青云;傅敏设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于碳化硅半导体的谐波抑制方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于碳化硅半导体的谐波抑制方法、装置及存储介质，设计半导体技术领域，包括步骤：通过两状态马尔科夫链随机数生成器获取目标数量下的随机数；通过随机数对随机脉冲位置谐波抑制方法中，目标对数下的基本矢量对进行作用时间的非对称处理；针对非对称处理后的基本矢量对进行PWM波形中三角载波信号的适应性改进；根据改进后的三角载波信号进行三相逆变桥中各碳化硅半导体开闭状态的调制判断，并获得所需的非对称脉冲信号。本发明通过非对称随机脉冲信号，将集中在开关频率以及倍数附近的高频谐波更大限度的分散，达到随机零矢量分步和随机开关频率的目的，降低电机低频运行状态下的谐波以及高频运行状态下的EMI噪声。

本发明授权一种用于碳化硅半导体的谐波抑制方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅半导体的谐波抑制方法，其特征在于，在随机脉冲位置谐波抑制方法的基础上进行改进，所述改进具体包括步骤： S1：以均匀分布随机数生成方法为基础，在线性同余法的思路下搭建两状态马尔科夫链随机数生成器； S2：通过两状态马尔科夫链随机数生成器获取目标数量下的随机数； S3：通过随机数对随机脉冲位置谐波抑制方法中，目标对数下的基本矢量对进行作用时间的非对称处理； S4：针对非对称处理后的基本矢量对进行PWM波形中三角载波信号的适应性改进； S5：根据改进后的三角载波信号进行三相逆变桥中各碳化硅半导体开闭状态的调制判断，并获得所需的非对称脉冲信号； 其中，所述S4步骤中，三角载波信号的适应性改进具体包括： 以与PWM周期相同的等腰直角三角波作为载波，并引入一个周期与三角波相同的方波，所述方波的信号幅值大于三角波的最大信号幅值； 所述S5步骤中，调制判断具体包括如下判断步骤： A0：判断当前方波幅值是否大于三角波幅值，若是，进入A1步骤，若否进入A2步骤； A1：判断标准化处理后三角波幅值是否小于三角波上半周期的低电平时间，若是，控制当前扇区所对应上下桥臂保持第一开闭状态并进入A3步骤，若否，控制当前扇区所对应上下桥臂保持第二开闭状态并进入A3步骤； A2：判断标准化处理后三角波幅值是否小于三角波下半周期的低电平时间，若是，控制当前扇区所对应上下桥臂保持第一开闭状态并进入A3步骤，若否，控制当前扇区所对应上下桥臂保持第二开闭状态并进入A3步骤； A3：判断采样时间是否达到一个PWM周期，若是，结束，若否，进入下一采样周期并返回A0步骤。

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