诺瓦尔德股份有限公司马库斯·赫默特获国家专利权
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龙图腾网获悉诺瓦尔德股份有限公司申请的专利包含含有金属阳离子和至少一个式(I)的硼酸根阴离子的金属化合物的有机电子器件、其用途和其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117561811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280042875.0，技术领域涉及：H10K85/60；该发明授权包含含有金属阳离子和至少一个式(I)的硼酸根阴离子的金属化合物的有机电子器件、其用途和其制备方法是由马库斯·赫默特;弗拉迪米尔·乌瓦罗夫设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含含有金属阳离子和至少一个式(I)的硼酸根阴离子的金属化合物的有机电子器件、其用途和其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种包含含有金属阳离子和至少一个式I的硼酸根阴离子的金属化合物的有机电子器件、一种包含所述有机电子器件的显示器件、所述金属化合物在有机电子器件中的用途以及一种所述有机电子器件的制备方法。
本发明授权包含含有金属阳离子和至少一个式(I)的硼酸根阴离子的金属化合物的有机电子器件、其用途和其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层、至少一个半导体层和至少一个光活性层，其中所述至少一个光活性层布置在所述阳极层与所述阴极层之间，其中所述至少一个半导体层布置在所述阳极层与所述至少一个光活性层之间， 其中所述至少一个半导体层包含含有金属阳离子和至少一个式I的硼酸根阴离子的金属化合物 其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、吸电子基团、卤素、Cl、F、CN、取代或未取代的C1至C24烷基、取代或未取代的C3至C24碳环基、取代或未取代的C2至C24杂环基、取代或未取代的C6至C24芳基、或者取代或未取代的C2至C24杂芳基，并且R1、R2、R3和R4中的两个一起可以与硼原子形成环； 其中R1、R2、R3和R4上的取代基如果存在则独立地选自吸电子基团、卤素、Cl、F、CN、NO2、部分氟化或全氟化的烷氧基、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的芳基、部分氟化或全氟化的杂芳基、部分氟化或全氟化的碳环基、以及部分氟化或全氟化的杂环基； 其中至少一个R1、R2、R3和R4通过碳原子连接到硼原子。
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